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SNK-106C GaAs霍爾芯片

技術參數
詳細描述

高靈敏度 砷化鎵 霍爾元件 

超薄型SMT封裝

以卷帶盤形式出廠 (每盤4500個元件)


外形尺寸圖 (單位: 毫米 )

微信截图_20180717095648.png

 

1、電氣特性(測定溫度25°C)

項目符號測定條件最小
標準最大單位
霍爾輸出電壓
VH
定電壓驅動
B=500G, VC=6V
55

75
mV
輸入阻抗Rin
B=0G, IC=1mA650

850
ohm
輸出阻抗Rout
B=0G, IC=1mA650

850
ohm
不平衡電壓Vu
B=0G, VC=6V-11

+11
mV
輸出電壓的溫度系數αVH以20℃為基準,0~40℃間的平均Average by 0~40℃
B=500G, IC=5mA


-0.06
%/℃
輸入電阻的溫度系數αRin以20℃為基準,0~40℃間的平均Average by 0~40℃
B=0G, Ic=1mA


0.3
%/℃
霍爾電壓線性度
B=1000/5000G,Ic=5mA1


2%

 

2、最大允許功耗

image003.png